Kérdése
van
?
Főkategória » Tranzisztorok » FET-ek »

IRFD110

N-MOSFET 1A/100V
IRFD110 / N-MOSFET  1A/100V (IRFD110PBF / VISHAY)
Gyártói jelölés IRFD110PBF
RoHS igen
Gyártó VISHAY
Tokozás DIP4
Teljesítmény 1.3W
Szerelés THT
Tranzisztor típusa N-MOSFET
Polaritás egysarkú
Drén - forrás feszültség 100V
Drén áram 700mA,
0.71A
Ellenállás vezetési állapotban 0.54Ω
Kapu-forrás feszültség ±20V
Kapu töltés 8.3nC
Teljesítmény elosztás 1.3W
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)

Kereskedelmi név: Vishay Intertechnology, Inc.
Postai cím: 4840 Telefunkenstrasse 5, Voecklabruck, Austria
Elektronikus cím: https://www.vishay.com/

Cikkszám: 100.210.30
Mennyiség (db):

Egységár ÁFA nélkül
1+ 0.823
10+ 0.514
50+ 0.473
100+ 0.460
200+ 0.450
* A megjelenített ár az egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül. Módosításához kattintson a fejléc ikonjára.

Elérhetőség Menny.
Raktáron > 10
3 munkanap > 10000

Kérdése van?

Írjon nekünk most!
 
 
 
 
 
FőoldalKosárSzállításSúgóGyIKRMAÁltalános szerződési feltételek (ÁSZF)AdatvédelemBK-KITSHESTORE APIElérhetőségek
HESTORE Hungary Kft, minden jog fenntartva!

Weboldalunk helyes működéséhez sütit készítünk az Ön böngészőjében.
Sütik használatáról bővebben itt olvashat.

A csomagküldés a magyarországi HESTORE raktárból történik.