Kérdése
van
?
Főkategória » Tranzisztorok » FET-ek »

IGOT65R025D2

GaN tranzisztor, 650V, 61A/120A, 30mΩ
IGOT65R025D2 / GaN tranzisztor, 650V, 61A/120A, 30mΩ (IGOT65R025D2AUMA1 / INFINEON TECHNOLOGIES)
Gyártói jelölés IGOT65R025D2AUMA1
RoHS igen
Gyártó INFINEON TECHNOLOGIES
Tokozás PG-DSO-20-91
Tranzisztor típusa GaN FET
Üzemi hőmérséklet -55...150°C
Drén - forrás feszültség 650V
Drén áram 61A
Ellenállás vezetési állapotban 30mΩ
Kapu töltés 11nC
Impulzus drain áram 120A
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)

Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/

Cikkszám: 100.487.43
Mennyiség (db):

Egységár ÁFA nélkül
1+ 13.776
5+ 12.820
10+ 12.550
20+ 12.307
50+ 11.966
* A megjelenített ár az egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül. Módosításához kattintson a fejléc ikonjára.

Elérhetőség Menny.
3 munkanap > 2000

Kérdése van?

Írjon nekünk most!

Vásárolták még

A következő termékeket más vásárlók rendelték a fent említett modellel együtt. Kérjük, ellenőrizze a kiválasztott termékek kompatibilitását.
FőoldalKosárSzállításSúgóGyIKRMAÁltalános szerződési feltételek (ÁSZF)AdatvédelemBK-KITSHESTORE APIElérhetőségek
HESTORE Hungary Kft, minden jog fenntartva!

Weboldalunk helyes működéséhez sütit készítünk az Ön böngészőjében.
Sütik használatáról bővebben itt olvashat.

A csomagküldés a magyarországi HESTORE raktárból történik.
GLS shipping GLS shipping FoxPost shipping DHL shipping  PayPal payment ISO9001 certified DigiCert SSL security SimplePay payment