FG 6943010 R
N/P DUAL-MOSFET 30V 0,1A
N- és P- csatornás
Tartós drain áram Id : 100 mA
drain-source feszültség Uds: 30 V
Vezetési ellenállás Rds(on): 2 Ohm
Rds(on) teszt feszültség U: 4 V
Küszöb feszültség Ugs: 1 V
Disszipáció Pd: 125 mW
Üzemi hőmérséklet : -40 ... 85 °C
| RoHS |
igen |
| Tokozás |
SOT-666 |
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
Mennyiség (db):
Egységár ÁFA nélkül
| 1+ |
€ 0.773
|
| 5+ |
€ 0.483
|
| 10+ |
€ 0.428
|
| 20+ |
€ 0.397
|
| 50+ |
€ 0.372
|
* A megjelenített ár az
egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül.
Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.
| Elérhetőség |
Menny. |
| Rendelésre |
Termékajánló

NP110N04PUK-E1-AY
Tranzisztor, N-MOSFET, 40V, 110A, 1.4mΩ, egysarkú, TO263-3

IXTH48P20P
Tranzisztor, P-MOSFET, -200V, -48A, 85mΩ, unipoláris, TO247-3

IRLML6344TRPBF
Tranzisztor, N-MOSFET, 30V, 5A, 37mΩ, unipoláris, SOT23

ITS4141NHUMA1
Smart High-Side Power Switch, 12...45V, 700mA, 200mΩ